ဆိုလာပြားသည် ဆိုလာစွမ်းအင်ထုတ်လုပ်သည့်စနစ်တွင် အရေးကြီးဆုံး အစိတ်အပိုင်းတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်း၏လုပ်ဆောင်ချက်မှာ နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲပေးကာ ဘက်ထရီအတွင်း သိုလှောင်ရန်အတွက် DC လျှပ်စစ်ဓာတ်အား ထုတ်လွှတ်ခြင်းဖြစ်သည်။၎င်း၏ပြောင်းလဲနှုန်းနှင့် ဝန်ဆောင်မှုသက်တမ်းသည် ဆိုလာဆဲလ်ကို အသုံးပြုမှုတန်ဖိုးရှိမရှိ ဆုံးဖြတ်ရန် အရေးကြီးသောအချက်များဖြစ်သည်။
ဆိုလာဆဲလ်များသည် ဆိုလာပြားများမှ လုံလောက်သော ပါဝါထုတ်ပေးကြောင်း သေချာစေရန်အတွက် စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် (21%) monocrystalline silicon ဆိုလာဆဲလ်များဖြင့် ထုပ်ပိုးထားသည်။မှန်ကို ဆိုလာဆဲလ်၏ ရောင်စဉ်တန်းတုံ့ပြန်မှု၏လှိုင်းအလျားအတွင်း 91% ကျော်ထုတ်လွှင့်မှုရှိသော အနိမ့်သံ tempered suede glass (အဖြူရောင်မှန်ဟုလည်းခေါ်သည်) ဖြင့်ပြုလုပ်ထားပြီး 1200 nm ထက်ကြီးသော အနီအောက်ရောင်ခြည်အတွက် အလင်းပြန်မှုမြင့်မားပါသည်။တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၊ ဖန်သည် နေရောင်ခြည်၏ ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည် ထုတ်လွှင့်မှုကို လျော့ကျသွားခြင်းမရှိဘဲ ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။EVA သည် အထူ 0.78 မီလီမီတာရှိသော အရည်အသွေးမြင့် EVA ဖလင်ကို ခရမ်းလွန်ရောင်ခြည်ဆန့်ကျင်ပစ္စည်း၊ ဓာတ်တိုးဆန့်ကျင်ပစ္စည်းနှင့် ကုသပေးသည့်အေးဂျင့်ဖြင့် ပေါင်းထည့်ထားသည့် အရည်အသွေးမြင့် EVA ဖလင်ကို ဆိုလာဆဲလ်များအတွက် အလုံပိတ်အေးဂျင့်နှင့် ဖန်နှင့် TPT အကြား ဆက်သွယ်ပေးသည့် အေးဂျင့်အဖြစ် လက်ခံထားသည်။
TPT ဆိုလာဆဲလ်၏နောက်ဖုံး - fluoroplastic ဖလင်သည် အဖြူရောင်ဖြစ်ပြီး နေရောင်ခြည်ကို ရောင်ပြန်ဟပ်သောကြောင့် မော်ဂျူး၏ထိရောက်မှုအနည်းငယ်တိုးတက်လာသည်။၎င်း၏ မြင့်မားသော အနီအောက်ရောင်ခြည် ဓာတ်ငွေ့ထုတ်လွှတ်မှု ကြောင့်၊ ၎င်းသည် module ၏ အလုပ်လုပ်ဆောင်မှု အပူချိန်ကိုလည်း လျှော့ချနိုင်ပြီး module ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို မြှင့်တင်ရန်လည်း အထောက်အကူ ပြုပါသည်။ဖရိန်အတွက်အသုံးပြုသော အလူမီနီယမ်သတ္တုစပ်ဖရိန်သည် မြင့်မားသော ကြံ့ခိုင်မှုနှင့် စက်ပိုင်းဆိုင်ရာ ထိခိုက်မှုဒဏ်ကို ခံနိုင်ရည်ရှိသည်။နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ရေးစနစ်၏ တန်ဖိုးအရှိဆုံး အစိတ်အပိုင်းလည်းဖြစ်သည်။၎င်း၏လုပ်ဆောင်ချက်မှာ နေရောင်ခြည်မှ ရောင်ခြည်ဖြာထွက်နိုင်စွမ်းကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲရန် သို့မဟုတ် ၎င်းအား သိုလှောင်ရန်အတွက် သိုလှောင်ရန်အတွက် ဘက်ထရီသို့ ပေးပို့ရန် သို့မဟုတ် ဝန်လုပ်ငန်းကို မြှင့်တင်ရန်ဖြစ်သည်။
ဆိုလာပြား၏အလုပ်အခြေခံ
ဆိုလာပြားသည် အလင်းစွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ် တိုက်ရိုက်ပြောင်းလဲပေးနိုင်သည့် တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်း၏အခြေခံဖွဲ့စည်းပုံမှာ semiconductor PN လမ်းဆုံဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသည်။အသုံးအများဆုံး ဆီလီကွန် PN ဆိုလာဆဲလ်ကို နမူနာအဖြစ် ယူ၍ အလင်းစွမ်းအင်ကို လျှပ်စစ်စွမ်းအင်အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲခြင်းကို အသေးစိတ် ဆွေးနွေးထားသည်။
အားလုံးသိကြသည့်အတိုင်း၊ အခမဲ့ရွေ့လျားနိုင်သော အားသွင်းအမှုန်အမြောက်အများရှိသော အရာဝတ္ထုများကို conductors ဟုခေါ်သည်။ယေဘုယျအားဖြင့် သတ္တုများသည် လျှပ်ကူးပစ္စည်းဖြစ်သည်။ဥပမာအားဖြင့်၊ ကြေးနီ၏ conductivity သည် 106/(Ω. cm) ခန့်ဖြစ်သည်။1V ၏ ဗို့အားကို 1cm x 1cm x 1cm ကြေးနီတုံး၏ ဆက်စပ်မျက်နှာပြင်နှစ်ခုသို့ သက်ရောက်ပါက၊ 106A သည် မျက်နှာပြင်နှစ်ခုကြားတွင် စီးဆင်းမည်ဖြစ်ပါသည်။အခြားတစ်ဖက်တွင် ကြွေထည်များ၊ mica၊ အမဲဆီ၊ ရော်ဘာစသည်ဖြင့် လျှပ်ကာများဟုခေါ်သော လျှပ်ကာများစီးကူးရန် အလွန်ခက်ခဲသော အရာများဖြစ်သည်။ ဥပမာအားဖြင့်၊ quartz (SiO2) ၏ လျှပ်ကူးမှုသည် 10-16/(Ω. cm) ခန့်၊ .semiconductor သည် conductor နှင့် insulator အကြား conductivity ရှိသည်။၎င်း၏လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းသည် 10-4~104/(Ω. cm) ဖြစ်သည်။ဆီမီးကွန်ဒတ်တာသည် အညစ်အကြေးအနည်းငယ်ကို ပေါင်းထည့်ခြင်းဖြင့် အထက်ပါအကွာအဝေးအတွင်း ၎င်း၏လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို ပြောင်းလဲနိုင်သည်။လုံလောက်သော သန့်စင်သော semiconductor ၏ conductivity သည် အပူချိန်မြင့်တက်လာသည်နှင့်အမျှ သိသိသာသာတိုးလာမည်ဖြစ်သည်။
ဆီလီကွန် (Si)၊ ဂျာမနီယမ် (Ge)၊ ဆယ်လီနီယမ် (Se) စသည်တို့ကဲ့သို့ ဒြပ်စင်များ ဖြစ်နိုင်သည်။၎င်းသည် cadmium sulfide (Cds)၊ gallium arsenide (GaAs) စသည်တို့ကဲ့သို့ ဒြပ်ပေါင်းတစ်ခုဖြစ်နိုင်သည်။x သည် 0 နှင့် 1 အကြား ကိန်းဂဏန်းတစ်ခုဖြစ်သည့် Ga၊ AL1~XA ကဲ့သို့သော သတ္တုစပ်တစ်ခုလည်း ဖြစ်နိုင်ပါသည်။ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၏ လျှပ်စစ်ဂုဏ်သတ္တိများစွာကို ရိုးရှင်းသောပုံစံဖြင့် ရှင်းပြနိုင်သည်။ဆီလီကွန် အက်တမ် နံပါတ် 14 ဖြစ်သောကြောင့် အက်တမ် နျူကလိယ အပြင်ဘက်တွင် အီလက်ထရွန် 14 ခု ရှိပါသည်။၎င်းတို့တွင် အတွင်းအလွှာရှိ အီလက်ထရွန် ၁၀ လုံးကို အက်တမ်နူကလိယဖြင့် တင်းတင်းကျပ်ကျပ် ချည်နှောင်ထားပြီး အပြင်အလွှာရှိ အီလက်ထရွန် ၄ လုံးကို အက်တမ်နူကလိယဖြင့် ချည်နှောင်မှုနည်းပါးသည်။လုံလောက်သော စွမ်းအင်ရရှိပါက ၎င်းကို အက်တမ် နျူကလိယမှ ခွဲထုတ်နိုင်ပြီး လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များ ဖြစ်လာကာ တစ်ချိန်တည်းတွင် မူလအနေအထား၌ အပေါက်တစ်ခု ချန်ထားနိုင်သည်။အီလက်ထရွန်များကို အနှုတ်လက္ခဏာဆောင်ပြီး အပေါက်များကို အပြုသဘောဖြင့် အားသွင်းပါသည်။ဆီလီကွန်နျူကလိယ၏ အပြင်ဘက်အလွှာရှိ အီလက်ထရွန်လေးခုကို valence အီလက်ထရွန်ဟုလည်း ခေါ်သည်။
ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲတွင်၊ အက်တမ်တစ်ခုစီတွင် ကပ်လျက်အက်တမ်လေးခုရှိပြီး ကပ်လျက်အက်တမ်တစ်ခုစီပါရှိသော ဗယ်လင်အီလက်ထရွန် နှစ်ခုပါရှိပြီး တည်ငြိမ်သော 8-အက်တမ်အခွံကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။silicon band gap ဟုခေါ်သော ဆီလီကွန်အက်တမ်မှ အီလက်ထရွန်ကို ခွဲထုတ်ရန် 1.12eV စွမ်းအင် လိုအပ်သည်။ခွဲထုတ်ထားသော အီလက်ထရွန်များသည် လွတ်လပ်စွာ ရွေ့လျားနိုင်ပြီး လျှပ်စီးကြောင်း ပို့လွှတ်နိုင်သော လွတ်လပ်သော conduction အီလက်ထရွန်များဖြစ်သည်။အီလက်ထရွန်သည် အက်တမ်တစ်ခုမှ လွတ်မြောက်သွားသောအခါတွင် ၎င်းသည် အပေါက်တစ်ခုဟုခေါ်သော လစ်လပ်နေရာတစ်ခုကို ထားခဲ့လေသည်။ကပ်လျက်ရှိသော အက်တမ်များမှ အီလက်ထရွန်များသည် အပေါက်အား ဖြည့်သွင်းနိုင်ပြီး အပေါက်သည် အနေအထားတစ်ခုမှ အသစ်တစ်ခုသို့ ရွေ့သွားကာ လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခုဖြစ်လာသည်။အီလက်ထရွန် စီးဆင်းမှုမှ ထုတ်ပေးသော လျှပ်စီးကြောင်းသည် အပြုသဘောဆောင်သော အားသွင်းအပေါက်သည် ဆန့်ကျင်ဘက် ဦးတည်ရာသို့ ရွေ့လျားသောအခါ ထုတ်ပေးသည့် လျှပ်စီးကြောင်းနှင့် ညီမျှသည်။
စာတိုက်အချိန်- ဇွန်-၃-၂၀၁၉